據報道，日本內存大廠爾必達近日宣布了業界首個2Gb DDR2移動內存顆粒（Mobile DRAM），該內存顆粒將主要用于高端手機、上網本和MID產品上。
    新2Gb DDR2移動內存顆粒采用50nm CMOS制程工藝，數據傳輸速率800Mbps，由于采用了低壓、低功耗技術，它的工作電壓僅為1.2V，功耗是同密度、同速度的DDR2內存顆粒的1/16。
    該顆粒可采用SIP系統級封裝、POP層疊堆裝和MCP多芯片封裝三種封裝方式。爾必達將于十月份推出基于該顆粒的樣品顆粒，2010年下半年開始量產。

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