缺貨嗎？不缺；不缺貨？缺。這次由日本地震引起的內(nèi)存，數(shù)碼產(chǎn)品以及被動器件的缺貨和供給鏈受阻一直讓半導(dǎo)體廠商揪心，對此，業(yè)內(nèi)人士表示因為原廠和分銷代辦代理商還有一定庫存，真正的缺貨可能2-3月后才突現(xiàn)出來，但海內(nèi)一些替換廠商和分銷商已開始囤糧漲價，甚至一些國產(chǎn)的內(nèi)存，數(shù)碼產(chǎn)品也開始跟風(fēng)漲價，更希奇的是一些非日系主流的器件也面對訂單緊迫的缺貨現(xiàn)象。
　　這里面不免存在炒作的成分，在嘆服這些人手段高超的同時也為之不解，日本一直以內(nèi)存，數(shù)碼產(chǎn)品以及電容，電感等被動器件在國際市場上據(jù)有重要比重，但為什么非此類器件，如MOSFET、IGBT也面對缺貨現(xiàn)象，深圳市銳駿半導(dǎo)體市場總監(jiān)朱兵解釋：“實在功率MOSFET一直處于供給吃緊態(tài)勢，加之此次地震影響，固然沒有對MOSFET供給鏈產(chǎn)生很大影響，但是良多廠商，特別是本土廠商，因為信息缺乏和資金鏈短缺，擔(dān)心缺貨，所以會向供給商頻繁下訂單，這樣就形成了恐慌性缺貨現(xiàn)象。”
　　目前高端消費類電子產(chǎn)品、電信、工控、汽車電子等市場用MOSFET仍由英飛凌、ST、飛兆等國外廠商把持，海內(nèi)廠商因為起步較晚，在產(chǎn)品的功率密度、散熱和可靠性上，與國際大廠比擬均存在一定的差距。但是本土企業(yè)也具備一定上風(fēng)，比猶如等規(guī)格的產(chǎn)品，性價比高，而且供貨不亂，交期短。跟著這幾年本土公司在技術(shù)和人力上加大投入，與國際廠商的差距正逐步縮小，已基本可以知足海內(nèi)市場的需求，深圳銳駿朱兵表示，我們現(xiàn)在可提供電壓20V-600V，電流從幾A到350A的MOSFET，導(dǎo)通電阻可以做到只有1.3mΩ，在一般低電壓高電流應(yīng)用中，普通整流二極管0.7V左右導(dǎo)通壓降，效率只能達到50%，而我們的MOSFET導(dǎo)通壓降低于 0.1V，這樣效率可以做到80%-90%。
　　此外，國外廠商受產(chǎn)能限制，不可能籠蓋所有客戶，而且海內(nèi)中小型客戶訂單量小分散，不固定，原廠和分銷商對這類公司也無暇顧及，因而這些公司就迫切需要專門針對這種需求的本土供給商。
　　深圳銳駿半導(dǎo)體目前的MOSFET產(chǎn)品主要應(yīng)用于電動車控制器，電動工具，逆變器，UPS/EPS，適配器，動力電池保護板以及Portable DVD，LCD-TV,DVB,等領(lǐng)域，其中90%的產(chǎn)品主要針對海內(nèi)市場，目前主要的客戶有富士康，臺達，長城電源，創(chuàng)科，高標，協(xié)昌，晶匯等。
　　在 MOSFET的制造工藝方面，銳駿跳過平面工藝，直接采用立體溝槽工藝，銳駿半導(dǎo)體高級應(yīng)用工程師鐘任生表示，平面型MOSFET體積和功耗較大，在縮小晶片面積后機能會大幅下降，不利于進步功率密度和降低本錢，而立體溝槽工藝采用垂直結(jié)構(gòu)，可以縮小晶片體積，但是散熱性還有待改善，目前MOSFET的主要工藝挫折包括：柵氧厚度，溝道長度、雜質(zhì)濃度及分布、LDD長度和雜質(zhì)濃度等，這些參數(shù)直接影響MOSFET的閾值電壓和擊穿電壓。
　　因為金融危機后積存的產(chǎn)能開釋，2010年MOSFET市場需求呈現(xiàn)爆發(fā)式增長，但是進入2011年，勢頭仍舊不減，朱兵表示：“在經(jīng)歷去年的增長后，我們的銷售額也翻了幾番，產(chǎn)能也不斷擴充，但是還顯不夠，我們目前的月產(chǎn)能是15KK，而訂單需求至少有25KK，其中有部門是客戶的預(yù)付訂單，良多客戶擔(dān)心器件受地震影響，一次性預(yù)定幾個月甚至半年以上的貨源，這種恐慌性訂單讓我們的產(chǎn)能計劃和交期也受到一定影響。”
　　“固然我們目前產(chǎn)能有些供不應(yīng)求，但是幾個月前我們已開始與代工廠協(xié)商產(chǎn)能擴充計劃，預(yù)計到5月份這種情況會有所緩解。” 朱兵繼承道：“目前我們的交期在4-10周，比擬國外廠商要好良多，而且受日本地震的影響，今年MOSFET市場的缺貨現(xiàn)象可能仍將持續(xù)。”
　　在談及未來市場策略時，朱兵表示，在日本地震以及核泄露事件后，大家更加熟悉到綠色能源的重要性和安全性，我們也會鼎力拓展新能源市場，如太陽能逆變器，LED路燈，汽車HID燈市場，在產(chǎn)品線上，我們會繼承向上和向下進行延伸，未來市場的需求可能集中于60V以下的低壓MOSFET和60V- 400V中壓大電流MOSFET，而在600V/50A以上的大電壓，大電流應(yīng)用，可能將會被IGBT取代，因此IGBT也是我們目前的一個研發(fā)方向，最快今年下半年，我們就會有IGBT產(chǎn)品面市。

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