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    半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè):搖擺中復(fù)蘇

        在8月19日SEMISiliconValleyLunchForum上,三位頂級產(chǎn)業(yè)分析師均認(rèn)為,越來越多的跡象顯示全球半導(dǎo)體市場已經(jīng)開始觸底反彈。BillMcClean(ICInsights)、DeanFreeman(Gartner)和JohnHousley(Techcet)三位分析師談到了近期半導(dǎo)體生產(chǎn)上行的跡象,并預(yù)測2010年設(shè)備訂單增長率將超過30%。
        “此次產(chǎn)業(yè)周期已經(jīng)在09年第一季度觸底,下半年資本支出預(yù)計將較上半年增長33%。無需往回看,現(xiàn)在正是準(zhǔn)備迎接上行周期的時刻。”BillMcClean說道。他建議產(chǎn)業(yè)要用“季度思維”來看待市場,他指出每次全球市場衰退都會導(dǎo)致需求被壓抑,“半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將迎來增長的兩年”。
        對于明年,他預(yù)計至少能有15%的增長,有可能達(dá)到20%。“正如低迷時期一樣,市場完全可能反轉(zhuǎn),上行勢頭可以和低迷時期的下行勢頭一樣猛烈。”McClean總結(jié)道。
        2009年上下半年的狀況
        McClean認(rèn)為2009年上半年是全球衰退最糟糕的時期。但是對于下半年,他認(rèn)為電子系統(tǒng)銷售將獲得季節(jié)性動力,IC庫存調(diào)整也已完成,全球GDP也將轉(zhuǎn)好。全球GDP和美國GDP都將從負(fù)增長轉(zhuǎn)為正增長(全球從-3.6%到+2.0%;美國從-3.7%到+1.3%)。在各個領(lǐng)域中(手機(jī)出貨量、PC出貨量、IC市場、IC代工市場、半導(dǎo)體資本支出),下半年已經(jīng)顯示出強(qiáng)勁的增長勢頭。
        McClean指出半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)20強(qiáng)的銷售額已經(jīng)增長21%(第二季度較第一季度)。他一再提醒在場的聽眾不要從年度來看產(chǎn)業(yè)的變化,而是要從季度來看。
        “我們遭遇了需求塌陷,和2001年不同,當(dāng)時是出貨量大于真實需求,而這次真實需求下滑。今年第一季度是谷底,我們已到達(dá)了谷底。產(chǎn)業(yè)一路所經(jīng)歷的是令人難以置信的,兩個季度環(huán)比下滑記錄被刷新。”
        對于2009年最為悲觀的出貨預(yù)測(PC:-12%,手機(jī):-12%,電視機(jī):-2%),McClean指出2009年出貨量為何回到2006-2007年的水平,而不是2005年的水平。對于IC出貨的季度趨勢,2009年第一季度回到了2005年的水平,但第二季度回升到2007年較低的水平。
        他還指出TSMC的銷售額在一個季度內(nèi)翻了一倍,到第三季度,TSMC的銷售額將回到2008年第三季度的水平。
        McClean稱代工廠和IDM所創(chuàng)下的資本支出歷史新低將使2010年和2011年的設(shè)備訂單強(qiáng)勁反彈。“資本支出下降至銷售額的12%,這是以前從未發(fā)生過的難以置信的低水平。以前也有過低迷時期資本支出發(fā)生兩位數(shù)百分比下滑。但一年后資本支出增長23%(1987)、14%(1997)、14%(2003),ICInsights預(yù)測2010和2011年分別增長18%和36%。
        談到存儲芯片支出趨勢,McClean稱情況“絕對令人震驚”。存儲芯片資本支出2007年為323億美元,2008年為208億美元,2009年預(yù)計僅為72億美元。IC產(chǎn)能利用率在一個季度內(nèi)躍升20個百分點(從今年第一季度的57%到第二季度的78%),年內(nèi)還將繼續(xù)增長(預(yù)計第三季度為86%,第四季度為90%)。
        最后McClean總結(jié)道:“我們正在關(guān)閉的產(chǎn)能量創(chuàng)記錄得多。不僅是因為我們沒有投資新產(chǎn)能,還因為舊工廠正在關(guān)閉。許多200mm晶圓廠正在離線。我相信SEMI所統(tǒng)計的數(shù)字,這樣的工廠有30家。許多產(chǎn)能下線,但沒有多少新產(chǎn)能上線。隨著旺盛的需求進(jìn)一步發(fā)展,所有的東西都將電子化――醫(yī)療、通信、計算機(jī)。我們將需要越來越多的IC。”然而,代工廠非常保守,因此“有些東西不得不讓步,如定價”。他稱IC供應(yīng)、IC價格和IC需求形成了一種兩路循環(huán)的狀態(tài),將導(dǎo)致“碰撞”。
        Gartner的DeanFreeman將金融危機(jī)所帶來的影響描述為“空前的下滑加坎坷的復(fù)蘇”。從半導(dǎo)體收入增長來看,2009年將下滑18%(第二季度的預(yù)測是下滑22.4%)。他預(yù)計2008年至2013年的收入增長率為+0.4%。
        今年第二季度,經(jīng)濟(jì)危機(jī)沉重打擊了半導(dǎo)體資本支出。Freeman稱2008年所有資本設(shè)備的收入增長為-31.7%(降至307億美元),2009年為-45.8%(降至166億美元)。2009年將比預(yù)期的要差一些,但2010年應(yīng)該比預(yù)期的要好,他認(rèn)為主要是由于時間的原因而不是需求的轉(zhuǎn)變。2010年,他預(yù)計半導(dǎo)體設(shè)備收入為214億美元,較2009年增長29%。
        對于晶圓廠設(shè)備,F(xiàn)reeman預(yù)計“由于我們正擺脫低迷,所以應(yīng)該在第三季度看到強(qiáng)勁增長。預(yù)計第三季度和第四季度的增長率分別為40%-50%和18%-20%。”
        對于代工廠產(chǎn)能利用率,F(xiàn)reeman指出了以下供需趨勢:
        產(chǎn)能利用率將進(jìn)一步升高,從第二季度的68%到第三季度的78%;
        需求主要來自PC和基帶應(yīng)用的拉動,尖端技術(shù)是最為強(qiáng)勁的動力;
        今年下半年4540nm技術(shù)將迅速崛起;
        產(chǎn)能2009年和2010年均將增長7-8%,主要來自尖端技術(shù);
        晶圓出貨量將在2009年猛降14%,而2010年將增長26%;
        年度利用率――2009年:63%,2010年:74%。
        下圖為Freeman對半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的預(yù)測。
        Freeman稱宏觀經(jīng)濟(jì)預(yù)測持續(xù)改善,“我們是朝前兩步,退后一步。我們看到了來自產(chǎn)業(yè)各領(lǐng)域的良好數(shù)據(jù)。”半導(dǎo)體市場在第二季度有強(qiáng)勢的回應(yīng),但進(jìn)一步的回應(yīng)將有賴于“消費者推動”。資本支出將仍然低迷,但存在一些亮點,如代工廠和邏輯芯片,他認(rèn)為美國的復(fù)蘇可能從第三季度開始。他看到了設(shè)備公司真正的增長機(jī)會,但警告稱這些機(jī)會要求靈活性和有創(chuàng)意的商業(yè)計劃。他表示太陽能、LED和通孔硅(TSV)技術(shù)將是三個增長熱點。
        關(guān)鍵的材料供應(yīng)鏈策略
        TechcetGroup的JohnHousley將其發(fā)言的焦點集中于經(jīng)濟(jì)低迷對供應(yīng)鏈的影響,并給出了詳盡的材料市場預(yù)測。
        對于光刻膠和附屬品,Housley指出有超過10家公司將分享15億美元的市場,因此光刻膠用戶仍是贏家。EUV仍然非常成問題――非常貴。但他建議聽眾關(guān)注全球預(yù)計的光刻膠市場規(guī)模。
        盡管光刻膠受到了巨大打擊,年收入從2008年的14億美元跌至9.5億美元,但他稱“單位成本上升了”,因為193nm光刻膠開始投入應(yīng)用,它的價格是普通光刻膠的4到5倍。
        對于硅,Housley關(guān)注到全球晶圓面積出貨指數(shù),并指出了三個月移動平均值的上行現(xiàn)象――增長60%。對于SiC,他預(yù)計全球市場將從2008年的2.11億美元降至2009年的1.49億美元,而2011年將增至2.12億美元。在CMP領(lǐng)域,他指出由于有20多家供應(yīng)商,因此漿液的價格壓力依然存在,但仍是一家獨大。銅互連市場主要由兩家供應(yīng)商支配。而對于高k和ALD,Housley預(yù)計將獲得增長,主要受尖端RAM電容和45nm以下MPU的帶動。ALD非常好但極其昂貴,等到ALD價格下降到可以投入實際應(yīng)用的時候,它就得離場了,下一代技術(shù)已經(jīng)到來。
        不考慮太陽能市場,Housley預(yù)計今年前端工藝材料市場總額為144億美元,較2008年減少21%,各種材料的下滑幅度分別為:掩膜(21%)、氣體(19%)、光刻膠(10%)、CMP(10%)、其他間接產(chǎn)品(7%)、濕化學(xué)試劑(6%)、輔助品(6%)、石英(6%)、先進(jìn)介質(zhì)和SOG(5%)、靶(4%)石墨(2%)、陶瓷(2%)、電鍍(1%)、SiC(1%)。化學(xué)試劑和氣體受到的影響沒有其他材料那樣嚴(yán)重。
        對于光伏市場來說,材料高度依賴于器件面積,和半導(dǎo)體器件類似。未來幾年中,薄膜的市場份額將受限在20%之內(nèi)。Housley認(rèn)為未來五年光伏市場的復(fù)合年均增長率為20%-25%。

     


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